12月23日，Vishay宣布推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件－－－SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 ％，為通信、工業(yè)、計算和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時柵極電荷下降60 ％，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。

Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。隨著SiHH070N60EF的推出，以及即將發(fā)布的第四代600V EF系列產(chǎn)品，Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構設計前兩個階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無橋功率因數(shù)校正（PFC）和軟切換DC／DC轉(zhuǎn)換器拓撲結構。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結技術，10 V條件下典型導通電阻僅為0．061Ω，超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3．1 Ω＊nC，比同類最接近的MOSFET低30 ％。這些參數(shù)表明導通和開關損耗降低，從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co（er）和Co（tr）分別僅為90 pf和560 pF，可改善零電壓開關（ZVS）拓撲結構開關性能，如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co（tr） 比同類緊隨其后的MOSFET低32 ％。

日前發(fā)布的器件采用PowerPAK 8x8封裝，符合RoHS標準，無鹵素，耐受雪崩模式過壓瞬變，并保證極限值100 ％通過UIS測試。

3．艾邁斯半導體推出Nuheara新款智能耳塞，帶來更出色的聽覺享受

12月21日，艾邁斯半導體宣布，其主動降噪（ANC）芯片技術為Nuheara“全球先進的耳塞”——新款IQbuds2 MAX產(chǎn)品提供個性化的降噪。

Nuheara耳塞集出色的播放音質(zhì)與個性化的聽覺增強特性于一體。這款零售價為379歐元的耳機為一些有輕度聽力障礙但暫時不想使用助聽器，同時又希望獲得出色聆聽體驗的消費者提供一個新的選擇。

4．JAE推出USB4認證的Type－C插座連接器

JAE發(fā)布了USB4（40Gbps）認證的Type－C插座連接器（板上型）。本產(chǎn)品在保證傳統(tǒng)USB C型連接器的向后兼容性的同時，通過JAE的高速傳輸仿真技術，能嚴格滿足USB4規(guī)格下的例如信號質(zhì)量等方面高品質(zhì)規(guī)范。同時，取得USB4認證的產(chǎn)品。