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研究人員在硅上開發(fā)納米激光器可適用于硅基電子平臺

2019-06-04 10:18

卡迪夫大學（Cardiff University）的研究人員近日發(fā)現(xiàn)可以將小于人類頭發(fā)寬度十分之一的微小發(fā)光納米激光器集成到硅芯片設計中。光子帶邊激光器能夠以超高速運行并有可能幫助電子行業(yè)從光學計算到遙感和尋熱提供一系列新應用。

Diana Huffaker教授是卡迪夫大學化學半導體研究所的科學主任，這研究所位于卡迪夫大學物理與天文學院。Huffaker教授說：“硅是半導體行業(yè)中使用最廣泛的材料，這是第一個展示光子帶邊激光器如何直接集成在圖案化的絕緣體上硅平臺上的演示。然而難以將緊湊型光源集成在該材料上。我們的研究通過開發(fā)集成在硅平臺上的極小激光器來突破這一障礙，適用于各種硅基電子，光電和光子平臺。”

該文章已發(fā)表于Physics Status Solidl － RRL，室溫InGaAs納米線陣列帶邊激光器用于硅基板上的絕緣平臺，Huffaker教授的研究專長在于納米外延、制造和光電子器件。目前正在進行的項目包括3D納米激光器，先進的光電探測器和光伏器件。

IQE和卡迪夫大學的合資企業(yè)復合半導體中心的主任Wyn Meredith博士說：“這項研究將對快速發(fā)展的光子學領域產(chǎn)生長期影響，特別強調(diào)推動用于大眾市場通信和傳感應用的高規(guī)格光學元件大批量商品化。”卡迪夫大學、IQE和復合半導體中心都是世界上第一個位于南威爾士的復合半導體技術中心CS Connected的成員。